FDMC86184
IC
PQFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
FDMC86184
此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 该工艺结合了屏蔽门极技术。 此工艺经过了优化， 可最大程度降低导通电阻， 同时使用业内最佳的软体二极管来保持出色的开关性能。
品牌
onsemi
封装
PQFN-8(3.3x3.3)
库存
67
货期
现货
FDMC86184参数
| 封装 | PQFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 67 |
FDMC86184概述
此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 该工艺结合了屏蔽门极技术。 此工艺经过了优化， 可最大程度降低导通电阻， 同时使用业内最佳的软体二极管来保持出色的开关性能。
FDMC86184特性
暂无产品特性。
FDMC86184应用领域
暂无应用领域。