FDMC86160ET100
IC
PQFN-8
可供量大可议
FDMC86160ET100
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的， 该工艺结合了屏蔽门极技术。 此工艺针对低导通电阻进行优化。 此器件非常适用于需要在小空间内实现超低 rDS(on) 的应用， 如高性能 VRM、POL 和 Oring 功能。
品牌
onsemi
封装
PQFN-8
库存
4
货期
现货
FDMC86160ET100参数
| 封装 | PQFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDMC86160ET100 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 7e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V |
| 输入电容(Ciss) | 1.29nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:43A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FDMC86160ET100概述
此 N 沟道 MOSFET 采用带屏蔽栅极技术的先进 PowerTrench 工艺生产。 该工艺针对导通电阻进行了优化。 此器件非常适合需要在小空间内实现超低 RDS(on)的应用, 例如高性能 VRM、POL 和 Orring 功能。
FDMC86160ET100特性
- TJ额定值扩展:175°C
- 屏蔽栅极MOSFET技术
- 最大 rDS(on) = 14 mΩ (VGS = 10 V, ID = 9 A)
- 最大 rDS(on) = 23 mΩ (VGS = 6 V, ID = 7 A)
- 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
- 终端无引线且符合RoHS标准
FDMC86160ET100应用领域
- 桥式拓扑
- 同步整流器