FDMC8360LET40
自营可供
IC
Power-33-8
FDMC8360LET40
1个N沟道 耐压:40V 电流:27A 电流:141A
品牌
onsemi
封装
Power-33-8
交期
现货
批次
—
FDMC8360LET40参数
| 封装 | Power-33-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDMC8360LET40 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000195 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 1.22nF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:40V 电流:27A 电流:141A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FDMC8360LET40概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench工艺制造, 该工艺融入了屏蔽栅技术。 此工艺已针对导通电阻进行优化, 同时仍保持卓越的开关性能。
FDMC8360LET40特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 27 A时, 最大rDS(on) = 2.1 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 22 A时, 最大rDS(on) = 3.1 mΩ
- 用于实现极低rDS(on)的高性能技术
- 引脚无铅
- 100%进行UIL测试
- 符合RoHS标准
FDMC8360LET40应用领域
- DC-DC转换