FDMC8327L-VB
IC
QFN8(3X3)
可供量大可议
FDMC8327L-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于高性能功率控制和开关应用。 QFN8(3X3)； N—Channel沟道, 40V； 40A； RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.1~2.2V
品牌
VBsemi
封装
QFN8(3X3)
库存
51
货期
现货
FDMC8327L-VB参数
| 封装 | QFN8(3X3) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 51 |
FDMC8327L-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于高性能功率控制和开关应用。 QFN8(3X3)； N—Channel沟道, 40V； 40A； RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.1~2.2V
FDMC8327L-VB特性
暂无产品特性。
FDMC8327L-VB应用领域
暂无应用领域。