FDMC8296-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
FDMC8296-HXY
该N沟道MOSFET具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其低导通电阻有助于在高电流条件下减少导通损耗， 提升系统效率。 适用于开关电源、电池供电设备、电机驱动及高频功率转换等应用场合， 能够在紧凑型电路设计中实现良好的热性能与电气稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
98
货期
现货
FDMC8296-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
FDMC8296-HXY概述
该N沟道MOSFET具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其低导通电阻有助于在高电流条件下减少导通损耗， 提升系统效率。 适用于开关电源、电池供电设备、电机驱动及高频功率转换等应用场合， 能够在紧凑型电路设计中实现良好的热性能与电气稳定性。
FDMC8296-HXY特性
暂无产品特性。
FDMC8296-HXY应用领域
暂无应用领域。