FDMC8200S
IC
Power-33-8
可供量大可议
FDMC8200S
此器件包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET， 采用双 Power33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装。 开关节点已经内部连接， 可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。 控制 MOSFET (Q1) 和同步 MOSFET (Q2) 可提供最佳功率能效。
品牌
onsemi
封装
Power-33-8
库存
130
货期
现货
FDMC8200S参数
| 封装 | Power-33-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 130 |
FDMC8200S概述
此器件包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET， 采用双 Power33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装。 开关节点已经内部连接， 可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。 控制 MOSFET (Q1) 和同步 MOSFET (Q2) 可提供最佳功率能效。
FDMC8200S特性
暂无产品特性。
FDMC8200S应用领域
暂无应用领域。