FDMC8026S-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
FDMC8026S-HXY
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为4毫欧。 低导通电阻有助于在大电流应用中显著降低功率损耗与发热， 提升系统整体效率。 适用于高频率开关电源、电池供电设备、电机控制及各类需要高效能功率转换的电子系统， 能够稳定支持持续高负载运行与快速开关操作。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
97
货期
现货
FDMC8026S-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 97 |
FDMC8026S-HXY概述
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为4毫欧。 低导通电阻有助于在大电流应用中显著降低功率损耗与发热， 提升系统整体效率。 适用于高频率开关电源、电池供电设备、电机控制及各类需要高效能功率转换的电子系统， 能够稳定支持持续高负载运行与快速开关操作。
FDMC8026S-HXY特性
暂无产品特性。
FDMC8026S-HXY应用领域
暂无应用领域。