FDMC8010DC
IC
PQFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
FDMC8010DC
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。 同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展， 可提供最低的 rDS(on)， 同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。
品牌
onsemi
封装
PQFN-8(3.3x3.3)
库存
6,004
货期
现货
FDMC8010DC参数
| 封装 | PQFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6004 |
FDMC8010DC概述
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。 同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展， 可提供最低的 rDS(on)， 同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。
FDMC8010DC特性
暂无产品特性。
FDMC8010DC应用领域
暂无应用领域。