FDMC8010
IC
PQFN-8
可供量大可议
FDMC8010
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 特别适用于最大程度降低导通电阻。 此器件非常适用于需要在小空间内实现超低 rDS(on) 的应用， 如高性能 VRM、POL 和 Oring 功能。
品牌
onsemi
封装
PQFN-8
库存
183
货期
现货
FDMC8010参数
| 封装 | PQFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 183 |
FDMC8010概述
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 特别适用于最大程度降低导通电阻。 此器件非常适用于需要在小空间内实现超低 rDS(on) 的应用， 如高性能 VRM、POL 和 Oring 功能。
FDMC8010特性
暂无产品特性。
FDMC8010应用领域
暂无应用领域。