FDMC7678-L701-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为4毫欧。 其低导通电阻有助于在高电流应用中显著降低功率损耗， 提升整体能效。 器件结构设计优化了开关特性和热稳定性， 适用于对效率与可靠性有较高要求的电源转换、电池管理系统及各类中低压开关电路中， 能够有效支持频繁启停和高负载运行场景。