FDMC4D9P20X8
IC
PQFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
FDMC4D9P20X8
此 P 沟道 MOSFET 是使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产的， 针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
品牌
onsemi
封装
PQFN-8(3.3x3.3)
库存
281
货期
现货
FDMC4D9P20X8参数
| 封装 | PQFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 281 |
FDMC4D9P20X8概述
此 P 沟道 MOSFET 是使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产的， 针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
FDMC4D9P20X8特性
暂无产品特性。
FDMC4D9P20X8应用领域
暂无应用领域。