FDMC3020DC-P-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
FDMC3020DC-P-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理场景。 器件结构支持高频开关操作， 在负载点转换、同步整流及高效DC-DC变换等应用中表现稳定可靠， 适合需要高电流承载能力与低功耗特性的电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
97
货期
现货
FDMC3020DC-P-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 97 |
FDMC3020DC-P-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理场景。 器件结构支持高频开关操作， 在负载点转换、同步整流及高效DC-DC变换等应用中表现稳定可靠， 适合需要高电流承载能力与低功耗特性的电子系统。
FDMC3020DC-P-HXY特性
暂无产品特性。
FDMC3020DC-P-HXY应用领域
暂无应用领域。