FDMC0310AS-F127-L701-HXY

该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为4mΩ， 能够在低电压驱动条件下实现高效导通。 其低导通阻抗有助于显著降低导通损耗， 提升整体能效， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换、同步整流及高频率开关电路等应用场合。