FDMC007N08LCDC
IC
PQFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
FDMC007N08LCDC
此 N 沟道 MV MOSFET 使用先进的 PowerTrench工艺生产， 该工艺结合了屏蔽门极技术。 此工艺经过了优化， 可最大程度降低导通电阻， 同时可保持业内最佳的软体二极管。
品牌
onsemi
封装
PQFN-8(3.3x3.3)
库存
10
货期
现货
FDMC007N08LCDC参数
| 封装 | PQFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
FDMC007N08LCDC概述
此 N 沟道 MV MOSFET 使用先进的 PowerTrench工艺生产， 该工艺结合了屏蔽门极技术。 此工艺经过了优化， 可最大程度降低导通电阻， 同时可保持业内最佳的软体二极管。
FDMC007N08LCDC特性
暂无产品特性。
FDMC007N08LCDC应用领域
暂无应用领域。