FDI045N10A-F102
IC
TO-262-3
可供量大可议
FDI045N10A-F102
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 适用于最大程度降低导通电阻， 同时保持出色的开关性能。
品牌
onsemi
封装
TO-262-3
库存
66
货期
现货
FDI045N10A-F102参数
| 封装 | TO-262-3 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 66 |
FDI045N10A-F102概述
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 适用于最大程度降低导通电阻， 同时保持出色的开关性能。
FDI045N10A-F102特性
暂无产品特性。
FDI045N10A-F102应用领域
暂无应用领域。