FDH45N50F-F133

UniFET MOSFET 基于平面条纹和 DMOS 技术。 该 MOSFET 旨在降低导通电阻， 提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET FRFET MOSFET 的体二极管反向恢复性能通过寿命控制得到增强。 其 trr 小于 100 nsec， 反向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns， 而普通平面 MOSFET 分别超过 200 nsec 和 4.5V/ns。 因此， 在某些对 MOSFET 体二极管性能要求较高的应用中， 它可以去除额外的组件并提高系统可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用， 如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器。