FDG6332C_F085
IC
可供量大可议
FDG6332C_F085
N+P—Channel沟道, ±20V, 2.5/-1.5A, RDS(ON), 130/230mΩ@4.5V, 160/280mΩ@2.5V, 20Vgs(±V)； ±0.6~2Vth(V) 封装：SC70-6
品牌
VBsemi
封装
库存
36
货期
现货
FDG6332C_F085参数
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 36 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
|---|---|
| 批次 | 23+ |
FDG6332C_F085概述
N+P—Channel沟道, ±20V, 2.5/-1.5A, RDS(ON), 130/230mΩ@4.5V, 160/280mΩ@2.5V, 20Vgs(±V)； ±0.6~2Vth(V) 封装：SC70-6
FDG6332C_F085特性
暂无产品特性。
FDG6332C_F085应用领域
暂无应用领域。