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FDG6321C-VB
IC

SC-70-6

可供量大可议

FDG6321C-VB

台积电流片, 长电封测。 N+P沟道, ±&#x9879F; &#x8F7CB; V, &#xAC4F9; &#x440B9; &#x9879F; &#x91D7C; /-&#x9879F; &#x440B9; &#x91D7C; A, RDS(ON), &#x645F8; &#x8F7CB; /&#xD767B; &#x22EAB; &#x22EAB; mΩ@&#xFAE86; &#x440B9; &#x22EAB; V, &#xD767B; &#xD767B; &#x8F7CB; /&#xD767B; &#x645F8; &#x8F7CB; mΩ@&#x9879F; &#x440B9; &#x22EAB; V, &#x9879F; &#x8F7CB; Vgs(±V); &#xD767B; &#x440B9; &#x8F7CB; /-&#xD767B; &#x440B9; <span class="text-search">&#x9879F; V</span>th(V)封装:SC&#x1BFBE; &#x8F7CB; -&#x2E9C2; 适用于便携设备负载开关、电池管理系统、紧凑型控制板、信号电平转换与模拟开关等场景。

品牌

VBsemi

封装

SC-70-6

库存

100

货期

现货

FDG6321C-VB参数

封装SC-70-6
品牌VBsemi/微碧半导体
批次24+
分类场效应管(MOSFET)
库存100
MOQ / SPQ5 / 1

FDG6321C-VB概述

台积电流片, 长电封测。 N+P沟道, ±&#x9879F; &#x8F7CB; V, &#xAC4F9; &#x440B9; &#x9879F; &#x91D7C; /-&#x9879F; &#x440B9; &#x91D7C; A, RDS(ON), &#x645F8; &#x8F7CB; /&#xD767B; &#x22EAB; &#x22EAB; mΩ@&#xFAE86; &#x440B9; &#x22EAB; V, &#xD767B; &#xD767B; &#x8F7CB; /&#xD767B; &#x645F8; &#x8F7CB; mΩ@&#x9879F; &#x440B9; &#x22EAB; V, &#x9879F; &#x8F7CB; Vgs(±V); &#xD767B; &#x440B9; &#x8F7CB; /-&#xD767B; &#x440B9; <span class="text-search">&#x9879F; V</span>th(V)封装:SC&#x1BFBE; &#x8F7CB; -&#x2E9C2; 适用于便携设备负载开关、电池管理系统、紧凑型控制板、信号电平转换与模拟开关等场景。

FDG6321C-VB特性

暂无产品特性。

FDG6321C-VB应用领域

暂无应用领域。

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