FDG6318PZ-VB
IC
SC-70-6
可供量大可议
FDG6318PZ-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双P+P型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于多种低功率应用场景， 其小型封装、低功耗和稳定性使其成为移动设备、消费类电子、医疗设备和工业控制等领域的理想选择。 SC70-6； 2个P—Channel沟道, -20V； -1.8A； RDS(ON)=155mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=-0.5~-1.5V
品牌
VBsemi
封装
SC-70-6
库存
160
货期
现货
FDG6318PZ-VB参数
| 封装 | SC-70-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 160 |
FDG6318PZ-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双P+P型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于多种低功率应用场景， 其小型封装、低功耗和稳定性使其成为移动设备、消费类电子、医疗设备和工业控制等领域的理想选择。 SC70-6； 2个P—Channel沟道, -20V； -1.8A； RDS(ON)=155mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=-0.5~-1.5V
FDG6318PZ-VB特性
暂无产品特性。
FDG6318PZ-VB应用领域
暂无应用领域。