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FDFS2P753Z-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

FDFS2P753Z-HXY

FDFS2P753Z 型号MOS管采用精湛P沟道工艺, 封装在紧凑型SOP-8封装内, 特别适合现代高集成度电路设计。 该器件在30V额定电压VDSS下稳定运行, 能承载5A的强劲连续漏极电流ID, 同时具有业界领先的43mR低导通电阻RD(on), 从而实现高效能与低功耗表现。 广泛应用于电源管理、电机驱动等领域, 是优化系统性能和节能环保的优质半导体元器件。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

165

货期

现货

FDFS2P753Z-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存165

FDFS2P753Z-HXY概述

FDFS2P753Z 型号MOS管采用精湛P沟道工艺, 封装在紧凑型SOP-8封装内, 特别适合现代高集成度电路设计。 该器件在30V额定电压VDSS下稳定运行, 能承载5A的强劲连续漏极电流ID, 同时具有业界领先的43mR低导通电阻RD(on), 从而实现高效能与低功耗表现。 广泛应用于电源管理、电机驱动等领域, 是优化系统性能和节能环保的优质半导体元器件。

FDFS2P753Z-HXY特性

暂无产品特性。

FDFS2P753Z-HXY应用领域

暂无应用领域。

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