FDFS2P753Z-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
FDFS2P753Z-HXY
FDFS2P753Z 型号MOS管采用精湛P沟道工艺, 封装在紧凑型SOP-8封装内, 特别适合现代高集成度电路设计。 该器件在30V额定电压VDSS下稳定运行, 能承载5A的强劲连续漏极电流ID, 同时具有业界领先的43mR低导通电阻RD(on), 从而实现高效能与低功耗表现。 广泛应用于电源管理、电机驱动等领域, 是优化系统性能和节能环保的优质半导体元器件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
165
货期
现货
FDFS2P753Z-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 165 |
FDFS2P753Z-HXY概述
FDFS2P753Z 型号MOS管采用精湛P沟道工艺, 封装在紧凑型SOP-8封装内, 特别适合现代高集成度电路设计。 该器件在30V额定电压VDSS下稳定运行, 能承载5A的强劲连续漏极电流ID, 同时具有业界领先的43mR低导通电阻RD(on), 从而实现高效能与低功耗表现。 广泛应用于电源管理、电机驱动等领域, 是优化系统性能和节能环保的优质半导体元器件。
FDFS2P753Z-HXY特性
暂无产品特性。
FDFS2P753Z-HXY应用领域
暂无应用领域。
