FDD8N50NZTM-VB

台积电流片， 长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管（MOSFET）， 额定电压高达𮧂 𢺫 򏟋 V， 适用于高压应用场景。 门源电压范围广泛（±򬓹 򏟋 V）， 具有良好的电压容忍性。 阈值电压较低（򬓹 񄂹 𢺫 V）， 有助于减少功率损耗。 在VGS=󗙻 򏟋 V时的漏极-源极电阻为𛾾 򏟋 򏟋 m?， 提供可靠的导通特性。 漏极电流为𛾾 A， 适用于中等功率需求。 采用SJ_Multi-EPI技术， 具有优异的热稳定性和可靠性。 封装为TO򘞟 𢺫 򘞟 易于安装和散热。