FDD8876-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FDD8876-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 在高电流开关应用中表现稳定。 器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及各类电子负载控制场景， 能够有效支持频繁开关操作并维持较低温升。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
98
货期
现货
FDD8876-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
FDD8876-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 在高电流开关应用中表现稳定。 器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及各类电子负载控制场景， 能够有效支持频繁开关操作并维持较低温升。
FDD8876-HXY特性
暂无产品特性。
FDD8876-HXY应用领域
暂无应用领域。