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FDD8647L-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

FDD8647L-HXY

FDD8647L 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用高效散热封装TO-252-2L, 专为高电流应用设计。 器件具备40V的高额定电压VDSS, 并能支持高达60A的连续电流ID, 展现了其卓越的功率处理能力。 亮点在于其超低导通电阻RD(on)仅为7.7mΩ, 大大提升了电路能效, 有效减小了功耗。 FDD8647L 无疑是电源转换、电机控制等领域中追求高效率、大电流应用的理想半导体元件。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

24

货期

现货

FDD8647L-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存24

FDD8647L-HXY概述

FDD8647L 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用高效散热封装TO-252-2L, 专为高电流应用设计。 器件具备40V的高额定电压VDSS, 并能支持高达60A的连续电流ID, 展现了其卓越的功率处理能力。 亮点在于其超低导通电阻RD(on)仅为7.7mΩ, 大大提升了电路能效, 有效减小了功耗。 FDD8647L 无疑是电源转换、电机控制等领域中追求高效率、大电流应用的理想半导体元件。

FDD8647L-HXY特性

暂无产品特性。

FDD8647L-HXY应用领域

暂无应用领域。

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