FDD8647L-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FDD8647L-HXY
FDD8647L 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用高效散热封装TO-252-2L, 专为高电流应用设计。 器件具备40V的高额定电压VDSS, 并能支持高达60A的连续电流ID, 展现了其卓越的功率处理能力。 亮点在于其超低导通电阻RD(on)仅为7.7mΩ, 大大提升了电路能效, 有效减小了功耗。 FDD8647L 无疑是电源转换、电机控制等领域中追求高效率、大电流应用的理想半导体元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
24
货期
现货
FDD8647L-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24 |
FDD8647L-HXY概述
FDD8647L 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用高效散热封装TO-252-2L, 专为高电流应用设计。 器件具备40V的高额定电压VDSS, 并能支持高达60A的连续电流ID, 展现了其卓越的功率处理能力。 亮点在于其超低导通电阻RD(on)仅为7.7mΩ, 大大提升了电路能效, 有效减小了功耗。 FDD8647L 无疑是电源转换、电机控制等领域中追求高效率、大电流应用的理想半导体元件。
FDD8647L-HXY特性
暂无产品特性。
FDD8647L-HXY应用领域
暂无应用领域。
