FDD86113LZ-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为20安培， 漏源击穿电压达100伏， 导通电阻典型值为80毫欧。 器件凭借低导通损耗特性， 适用于高频率开关电路及大电流负载控制场景。 在电源转换模块、电机驱动单元及电池管理系统中， 其能有效提升能量传输效率并降低热耗散， 满足对功率密度有严格要求的电子设备设计需求。