FDD86113LZ

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 特别适用于最大程度降低导通电阻， 同时保持卓越的开关性能。 增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。