FDD86110-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为70A， 漏源击穿电压达100V， 导通电阻低至8.2毫欧， 栅源驱动电压支持20V。 凭借低导通损耗与高电流承载能力， 器件适用于大电流开关场景， 如高性能电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路， 能有效提升系统能效并降低热设计难度， 满足对功率密度有严格要求的电子设备需求。