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FDD86102-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

FDD86102-HXY

该N沟道场效应管具备40A连续漏极电流能力, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻典型值为20毫欧。 其参数组合适合中等功率开关应用, 常见于直流电源转换、电动工具驱动及储能设备保护电路。 在高频开关环境下, 该器件能平衡导通损耗与热管理需求, 为各类电子系统提供稳定的功率控制解决方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

FDD86102-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

FDD86102-HXY概述

该N沟道场效应管具备40A连续漏极电流能力, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻典型值为20毫欧。 其参数组合适合中等功率开关应用, 常见于直流电源转换、电动工具驱动及储能设备保护电路。 在高频开关环境下, 该器件能平衡导通损耗与热管理需求, 为各类电子系统提供稳定的功率控制解决方案。

FDD86102-HXY特性

暂无产品特性。

FDD86102-HXY应用领域

暂无应用领域。

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