FDD86102-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FDD86102-HXY
该N沟道场效应管具备40A连续漏极电流能力, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻典型值为20毫欧。 其参数组合适合中等功率开关应用, 常见于直流电源转换、电动工具驱动及储能设备保护电路。 在高频开关环境下, 该器件能平衡导通损耗与热管理需求, 为各类电子系统提供稳定的功率控制解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
FDD86102-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
FDD86102-HXY概述
该N沟道场效应管具备40A连续漏极电流能力, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻典型值为20毫欧。 其参数组合适合中等功率开关应用, 常见于直流电源转换、电动工具驱动及储能设备保护电路。 在高频开关环境下, 该器件能平衡导通损耗与热管理需求, 为各类电子系统提供稳定的功率控制解决方案。
FDD86102-HXY特性
暂无产品特性。
FDD86102-HXY应用领域
暂无应用领域。
