FDD8586-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为80A， 漏源击穿电压20V， 导通电阻低至3.5毫欧， 栅源电压耐受16V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关电源、电池管理系统及电机驱动电路。 在高频率切换场景下， 能有效降低热耗散， 提升电源转换效率， 满足便携式设备与高性能计算平台的供电需求。