FDD850N10L
IC
TO-252(DPAK)
可供量大可议
FDD850N10L
此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的， 适用于最大程度降低导通电阻， 同时保持出色的开关性能。
品牌
onsemi
封装
TO-252(DPAK)
库存
178
货期
现货
FDD850N10L参数
| 封装 | TO-252(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 178 |
FDD850N10L概述
此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的， 适用于最大程度降低导通电阻， 同时保持出色的开关性能。
FDD850N10L特性
暂无产品特性。
FDD850N10L应用领域
暂无应用领域。