FDD8453LZ-F085-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FDD8453LZ-F085-HXY
这款N沟道场效应管专为高效功率切换设计, 具备80A的持续电流处理能力与40V耐压规格。 其核心优势在于极低的5.5mΩ导通电阻, 这意味着在大电流传输时能显著抑制热损耗, 提升系统整体能效。 器件支持±20V的栅极驱动范围, 能够灵活适配各类控制电路。 凭借优异的电气性能, 它非常契合高性能开关电源、DC-DC转换模块以及便携式高功率设备的负载开关应用, 为紧凑型电路设计提供可靠的功率管理方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
FDD8453LZ-F085-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
FDD8453LZ-F085-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高效功率切换设计, 具备80A的持续电流处理能力与40V耐压规格。 其核心优势在于极低的5.5mΩ导通电阻, 这意味着在大电流传输时能显著抑制热损耗, 提升系统整体能效。 器件支持±20V的栅极驱动范围, 能够灵活适配各类控制电路。 凭借优异的电气性能, 它非常契合高性能开关电源、DC-DC转换模块以及便携式高功率设备的负载开关应用, 为紧凑型电路设计提供可靠的功率管理方案。
FDD8453LZ-F085-HXY特性
暂无产品特性。
FDD8453LZ-F085-HXY应用领域
暂无应用领域。
