FDD8451-VB
IC
TO-252
可供量大可议
FDD8451-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路N沟道MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于设计各种电源模块、电动汽车辅助系统、工业控制器等领域。 TO252； N—Channel沟道, 40V； 55A； RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
Brand
VBsemi
Package
TO-252
Stock
115
货期
现货
FDD8451-VBParameters
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 115 |
FDD8451-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路N沟道MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于设计各种电源模块、电动汽车辅助系统、工业控制器等领域。 TO252； N—Channel沟道, 40V； 55A； RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
FDD8451-VB特性
暂无产品特性。
FDD8451-VB应用领域
暂无应用领域。