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FDD8451-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

FDD8451-HXY

FDD8451 是一款高功率N沟道MOS管, 采用稳固且散热优良的TO-252-2L封装, 适于大电流应用场合。 其拥有40V的高额定电压VDSS及惊人的30A连续电流ID能力, 充分展示了卓越的电力处理效能。 此外, 18mΩ的低导通电阻RD(on)设计进一步减少了电能损耗, 显著提升了系统运行效率, 是高端电源转换、电机驱动等领域的理想半导体解决方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

10

货期

现货

FDD8451-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存10

FDD8451-HXY概述

FDD8451 是一款高功率N沟道MOS管, 采用稳固且散热优良的TO-252-2L封装, 适于大电流应用场合。 其拥有40V的高额定电压VDSS及惊人的30A连续电流ID能力, 充分展示了卓越的电力处理效能。 此外, 18mΩ的低导通电阻RD(on)设计进一步减少了电能损耗, 显著提升了系统运行效率, 是高端电源转换、电机驱动等领域的理想半导体解决方案。

FDD8451-HXY特性

暂无产品特性。

FDD8451-HXY应用领域

暂无应用领域。

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