FDD8447L-F085-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FDD8447L-F085-HXY
FDD8447L-F085 N沟道MOS管， 采用TO-252-2L封装形式， 确保高效散热与广泛应用兼容性。 器件提供40V的工作电压VDSS， 能承载高达50A的连续漏极电流ID， 专为处理高强度电力任务而设计。 其独特优势在于11mΩ的超低导通电阻RD(on)， 有效降低功耗， 提高系统能效。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
19
货期
现货
FDD8447L-F085-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
FDD8447L-F085-HXY概述
FDD8447L-F085 N沟道MOS管， 采用TO-252-2L封装形式， 确保高效散热与广泛应用兼容性。 器件提供40V的工作电压VDSS， 能承载高达50A的连续漏极电流ID， 专为处理高强度电力任务而设计。 其独特优势在于11mΩ的超低导通电阻RD(on)， 有效降低功耗， 提高系统能效。
FDD8447L-F085-HXY特性
暂无产品特性。
FDD8447L-F085-HXY应用领域
暂无应用领域。