FDD8445-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FDD8445-HXY
FDD8445 是一款高性能N沟道MOSFET， 采用标准TO-252-2L封装， 适用于各类高功率应用。 器件亮点包括最大漏源电压(VDSS)高达40V， 可轻松承载60A的连续漏极电流(ID)， 并具有业界领先的7mΩ导通电阻(RD(on))， 确保在大电流传输中实现极高的能效比。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
10
货期
现货
FDD8445-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
FDD8445-HXY概述
FDD8445 是一款高性能N沟道MOSFET， 采用标准TO-252-2L封装， 适用于各类高功率应用。 器件亮点包括最大漏源电压(VDSS)高达40V， 可轻松承载60A的连续漏极电流(ID)， 并具有业界领先的7mΩ导通电阻(RD(on))， 确保在大电流传输中实现极高的能效比。
FDD8445-HXY特性
暂无产品特性。
FDD8445-HXY应用领域
暂无应用领域。