FDD8424H-HXY
IC
TO-252-4L
可供量大可议
FDD8424H-HXY
型号FDD8424H 的N+P沟道MOS管采用经典封装TO-252-4L， 为各类电子设备提供稳固的功率解决方案。 器件具备40V的额定电压VDSS和20A的大电流承载能力， 确保在高压大电流应用中的稳定表现。 尤其值得注意的是， 其导通电阻RD(on)仅为18mΩ， 有效提升了能源利用效率， 减少损耗。 这款MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动、功率转换等领域， 是构建高效节能系统的关键组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-4L
库存
2,543
货期
现货
FDD8424H-HXY参数
| 封装 | TO-252-4L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2543 |
FDD8424H-HXY概述
型号FDD8424H 的N+P沟道MOS管采用经典封装TO-252-4L， 为各类电子设备提供稳固的功率解决方案。 器件具备40V的额定电压VDSS和20A的大电流承载能力， 确保在高压大电流应用中的稳定表现。 尤其值得注意的是， 其导通电阻RD(on)仅为18mΩ， 有效提升了能源利用效率， 减少损耗。 这款MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动、功率转换等领域， 是构建高效节能系统的关键组件。
FDD8424H-HXY特性
暂无产品特性。
FDD8424H-HXY应用领域
暂无应用领域。