FDD6N25TM-VB
IC
TO-252
可供量大可议
FDD6N25TM-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和便携式电子产品等多个领域。 TO252； N—Channel沟道, 250V； 4.5A； RDS(ON)=640mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
40
货期
现货
FDD6N25TM-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
FDD6N25TM-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和便携式电子产品等多个领域。 TO252； N—Channel沟道, 250V； 4.5A； RDS(ON)=640mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
FDD6N25TM-VB特性
暂无产品特性。
FDD6N25TM-VB应用领域
暂无应用领域。