FDD6676S-HXY

该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至5毫欧。 其低RDS(on)有助于显著降低导通损耗， 在大电流工作条件下维持较高的能效和较低的温升。 适用于高功率密度的电源转换系统、高效电机驱动以及对热性能和空间布局有严格要求的电子设备中。