FDD6635-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FDD6635-HXY
FDD6635 是一款强大高效的N沟道MOSFET， 采用TO-252-2L封装， 专为处理高电流应用而设计。 这款器件拥有40V的高额定电压VDSS， 能稳定承载60A的连续电流ID， 充分体现了其卓越的电力传输性能。 尤其引人注目的是， 其导通电阻RD(on)仅为7.7mΩ， 从而大幅降低能耗并提升系统效率。 FDD6635 是适用于电源转换、电机驱动等高要求场景的理想半导体解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
2
货期
现货
FDD6635-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
FDD6635-HXY概述
FDD6635 是一款强大高效的N沟道MOSFET， 采用TO-252-2L封装， 专为处理高电流应用而设计。 这款器件拥有40V的高额定电压VDSS， 能稳定承载60A的连续电流ID， 充分体现了其卓越的电力传输性能。 尤其引人注目的是， 其导通电阻RD(on)仅为7.7mΩ， 从而大幅降低能耗并提升系统效率。 FDD6635 是适用于电源转换、电机驱动等高要求场景的理想半导体解决方案。
FDD6635-HXY特性
暂无产品特性。
FDD6635-HXY应用领域
暂无应用领域。