FDD5N50FTM-WS-HXY

该N沟道MOSFET具备500V的漏源击穿电压（VDSS）， 在指定栅源驱动条件下导通电阻（RDS(ON)）为1300mΩ， 连续漏极电流（ID）额定值为5A。 由于其较高的耐压能力与适中的电流承载水平， 适用于对电压应力要求较高的中小功率开关应用， 例如电源适配器、照明驱动及各类通用电子设备中的功率控制环节。 器件在保证安全工作区的同时， 可满足多种电路拓扑对高侧或低侧开关的需求。