FDD5680
IC
TO-252
可供量大可议
FDD5680
此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 特别适用于最大程度降低导通电阻， 同时保持低门极电荷， 实现卓越的开关性能。
品牌
onsemi
封装
TO-252
库存
100
货期
现货
FDD5680参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W； 60W |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDD5680 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 8.5e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 1.835nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:8.5A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FDD5680概述
这款N沟道MOSFET采用安森美半导体先进的PowerTrench工艺制造, 该工艺经过特别优化, 可在最大限度降低导通电阻的同时, 保持较低的栅极电荷, 以实现卓越的开关性能。
FDD5680特性
- 在VGS = 6 V时, RDS(ON) = 0.025 Ω。
- 38 A、60 V。 在VGS = 10 V时, RDS(ON) = 0.021 Ω。
- 低栅极电荷(典型值为33 nC)。
- 快速开关速度。
- 高性能沟槽技术, 实现极低的RDS(ON)。
FDD5680应用领域
- 直流-直流转换器
- 电机驱动器