FDD5612-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FDD5612-HXY
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDON）仅为27毫欧， 展现出优异的导电性能与较低的功率损耗。 器件适用于多种中高功率应用场景， 如电源适配器、充电设备、直流变换器及智能家电中的开关电路设计， 为系统提供高效、稳定的电流控制能力。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
92
货期
现货
FDD5612-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 92 |
FDD5612-HXY概述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDON）仅为27毫欧， 展现出优异的导电性能与较低的功率损耗。 器件适用于多种中高功率应用场景， 如电源适配器、充电设备、直流变换器及智能家电中的开关电路设计， 为系统提供高效、稳定的电流控制能力。
FDD5612-HXY特性
暂无产品特性。
FDD5612-HXY应用领域
暂无应用领域。