FDD5612
IC
TO-252
可供量大可议
FDD5612
这款N沟道MOSFET专为提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比， 这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此， 该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下）， 并且能够实现整体效率更高的DC/DC电源设计
品牌
onsemi
封装
TO-252
库存
25
货期
现货
FDD5612参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
FDD5612概述
这款N沟道MOSFET专为提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比， 这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此， 该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下）， 并且能够实现整体效率更高的DC/DC电源设计
FDD5612特性
暂无产品特性。
FDD5612应用领域
暂无应用领域。