FDD5353-VB
IC
TO-252
可供量大可议
FDD5353-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N型场效应晶体管， 采用Trench工艺， 具有较低的导通电阻和较高的性能， 适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用， 为相关领域提供了可靠的解决方案。 TO252； N—Channel沟道, 60V； 58A； RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
30
货期
现货
FDD5353-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
FDD5353-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N型场效应晶体管， 采用Trench工艺， 具有较低的导通电阻和较高的性能， 适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用， 为相关领域提供了可靠的解决方案。 TO252； N—Channel沟道, 60V； 58A； RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
FDD5353-VB特性
暂无产品特性。
FDD5353-VB应用领域
暂无应用领域。