FDD5353-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FDD5353-HXY
这款MOS管型号为FDD5353， 采用先进的TO-252-2L封装技术， 属于高性能N沟道MOSFET器件。 其拥有高达60V的漏源极电压额定值和强大的50A连续漏极电流能力， 确保了在大电流环境下的稳定工作。 导通电阻仅为11mΩ， 有效降低了功率损耗， 提升系统能效， 特别适用于各类开关电源、电机驱动及电池管理系统等高要求应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
15
货期
现货
FDD5353-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
FDD5353-HXY概述
这款MOS管型号为FDD5353， 采用先进的TO-252-2L封装技术， 属于高性能N沟道MOSFET器件。 其拥有高达60V的漏源极电压额定值和强大的50A连续漏极电流能力， 确保了在大电流环境下的稳定工作。 导通电阻仅为11mΩ， 有效降低了功率损耗， 提升系统能效， 特别适用于各类开关电源、电机驱动及电池管理系统等高要求应用场景。
FDD5353-HXY特性
暂无产品特性。
FDD5353-HXY应用领域
暂无应用领域。