FDD4685(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
FDD4685(UMW)
特性：该P沟道MOSFET采用相关技术制造， 可实现低导通电阻和良好的开关特性， 在应用中表现出色。 VDS(V) = -40V。 ID = -8.4A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 27mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 35mΩ (VGS = -4.5V)。 符合RoHS标准。 采用高性能沟槽技术， 实现极低的导通电阻
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
2,490
货期
现货
FDD4685(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2490 |
FDD4685(UMW)概述
特性：该P沟道MOSFET采用相关技术制造， 可实现低导通电阻和良好的开关特性， 在应用中表现出色。 VDS(V) = -40V。 ID = -8.4A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 27mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 35mΩ (VGS = -4.5V)。 符合RoHS标准。 采用高性能沟槽技术， 实现极低的导通电阻
FDD4685(UMW)特性
暂无产品特性。
FDD4685(UMW)应用领域
暂无应用领域。