FDD4243(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
FDD4243(UMW)
特性：该P沟道MOSFET采用特定技术， 可实现低导通电阻（RDS(ON)）和优化的Bvdss能力， 在应用中提供卓越的性能优势。 VDS(V) = -40V。 RDS(ON) < 44mΩ（VGS = -10V）。 RDS(ON) < 64mΩ（VGS = -4.5V）。 符合RoHS标准。 采用高性能沟槽技术， 实现极低的RDS(ON)
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
150
货期
现货
FDD4243(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 150 |
FDD4243(UMW)概述
特性：该P沟道MOSFET采用特定技术， 可实现低导通电阻（RDS(ON)）和优化的Bvdss能力， 在应用中提供卓越的性能优势。 VDS(V) = -40V。 RDS(ON) < 44mΩ（VGS = -10V）。 RDS(ON) < 64mΩ（VGS = -4.5V）。 符合RoHS标准。 采用高性能沟槽技术， 实现极低的RDS(ON)
FDD4243(UMW)特性
暂无产品特性。
FDD4243(UMW)应用领域
暂无应用领域。