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FDD4141-F085P-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

FDD4141-F085P-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流为50A, 漏源击穿电压40V, 导通电阻典型值10mΩ。 其低阻抗特性显著降低导通损耗, 适用于高电流负载开关、电池组保护电路及电源极性反接防护模块。 在直流电源分配系统中, 它能有效简化驱动电路设计并减少发热; 亦常用于便携式电子设备的电源管理单元, 满足大电流切换下对能效与空间布局的严格要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

40

货期

现货

FDD4141-F085P-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

FDD4141-F085P-HXY概述

该P沟道场效应管最大漏极电流为50A, 漏源击穿电压40V, 导通电阻典型值10mΩ。 其低阻抗特性显著降低导通损耗, 适用于高电流负载开关、电池组保护电路及电源极性反接防护模块。 在直流电源分配系统中, 它能有效简化驱动电路设计并减少发热; 亦常用于便携式电子设备的电源管理单元, 满足大电流切换下对能效与空间布局的严格要求。

FDD4141-F085P-HXY特性

暂无产品特性。

FDD4141-F085P-HXY应用领域

暂无应用领域。

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