FDD4141-F085P-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FDD4141-F085P-HXY
该P沟道场效应管最大漏极电流为50A, 漏源击穿电压40V, 导通电阻典型值10mΩ。 其低阻抗特性显著降低导通损耗, 适用于高电流负载开关、电池组保护电路及电源极性反接防护模块。 在直流电源分配系统中, 它能有效简化驱动电路设计并减少发热; 亦常用于便携式电子设备的电源管理单元, 满足大电流切换下对能效与空间布局的严格要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
40
货期
现货
FDD4141-F085P-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
FDD4141-F085P-HXY概述
该P沟道场效应管最大漏极电流为50A, 漏源击穿电压40V, 导通电阻典型值10mΩ。 其低阻抗特性显著降低导通损耗, 适用于高电流负载开关、电池组保护电路及电源极性反接防护模块。 在直流电源分配系统中, 它能有效简化驱动电路设计并减少发热; 亦常用于便携式电子设备的电源管理单元, 满足大电流切换下对能效与空间布局的严格要求。
FDD4141-F085P-HXY特性
暂无产品特性。
FDD4141-F085P-HXY应用领域
暂无应用领域。
