FDD3N40TM
IC
TO-252(DPAK)
可供量大可议
FDD3N40TM
UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。 此 MOSFET 适用于降低导通电阻， 提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。 此器件系列适用于开关电力转换器应用， 如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
品牌
onsemi
封装
TO-252(DPAK)
库存
200
货期
现货
FDD3N40TM参数
| 封装 | TO-252(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 400V |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:400V 电流:2A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4Ω@10V |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
| 商品型号 | FDD3N40TM |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00041 |
FDD3N40TM概述
UniFETTM MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。 该MOSFET经过专门设计, 可降低导通电阻, 提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用, 如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX和电子灯镇流器。
FDD3N40TM特性
- 漏源导通电阻RDS(on) = 3.4Ω(典型值)[栅源电压VGS = 10V, 漏极电流ID = 1A]
- 低栅极电荷(典型值4.5 nC)
- 低反向传输电容Crss(典型值3.7 pF)
- 100%经过雪崩测试
FDD3N40TM应用领域
- LED电视
- 消费电器
- 照明
- 不间断电源