FDD390N15ALZ
自营可供
IC
TO-252(DPAK)
FDD390N15ALZ
场效应管(MOSFET) 63W 150V 26A 1个N沟道
品牌
ON
封装
TO-252(DPAK)
交期
现货
批次
26+
FDD390N15ALZ参数
| 封装 | TO-252(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33.4mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 输入电容(Ciss) | 1.76nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 93pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:150V 电流:26A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5,628 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDD390N15ALZ |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000395 |
FDD390N15ALZ概述
场效应管(MOSFET) 63W 150V 26A 1个N沟道
FDD390N15ALZ特性
- 在VGS = 10 V、ID = 26 A条件下, RDS(on) = 33.4 mΩ(典型值)
- 在VGS = 4.5 V、ID = 20 A条件下, RDS(on) = 42.2 mΩ(典型值)
- 开关速度快
- 栅极电荷低, QG = 17.6 nC(典型值)
- 采用高性能沟槽技术, 实现极低的RDS(on)
- 具备高功率和高电流处理能力
- 符合RoHS标准
FDD390N15ALZ应用领域
- 消费类电器
- LED电视
- 同步整流
- 不间断电源
- 微型太阳能逆变器