FDD3690

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计， 可以使用同步开关 PWM 控制器， 也可以使用传统开关 PWM 控制器。 与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比， 此类 MOSFET 开关速度更快， 门极电荷更低。 因此该 MOSFET 驱动简单， 也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此）， DC/DC 电源设计具有更高的总体能效。